一家專(zhuān)業(yè)從事等離子體表面處理設(shè)備的高科技技術(shù)企業(yè)
有設(shè)置高寬參數(shù)，將以原圖輸出 "光學(xué)儀器、精密機(jī)械及電器制造")
光學(xué)鏡片的鍍膜技術(shù)是整個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的一個(gè)重要組成部分，良好的鍍膜技術(shù)能改善鏡片的折射率、阿貝數(shù)、散射、衍射和化學(xué)性能。光學(xué)薄膜真空鍍膜技術(shù)一般采用物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，包括熱蒸發(fā)、濺射、離子鍍等方法。
有設(shè)置高寬參數(shù)，將以原圖輸出 "纖維紡織領(lǐng)域、消費(fèi)產(chǎn)品")
電池隔膜鋰電池隔膜基體材料主要包括聚丙烯、聚乙烯材料和添加劑。隔膜所采用的基體材料的優(yōu)劣在于電解液的浸潤(rùn)性和吸液保濕能力直接的聯(lián)系，由于基體材料的本身特性，浸潤(rùn)性交差，需用相應(yīng)的工藝來(lái)提高其親水性，而
有設(shè)置高寬參數(shù)，將以原圖輸出 "新能源領(lǐng)域")
使用OKSUN等離子體技術(shù)，對(duì)材料表面進(jìn)行轟擊，可有效去除表面污染物，使工件表面親水性大大提高。清洗后的水滴夾角小于5度，為下道工序的進(jìn)行奠定良好基礎(chǔ)。
有設(shè)置高寬參數(shù)，將以原圖輸出 "半導(dǎo)體及封裝領(lǐng)域")
隨著智能手機(jī)的飛速發(fā)展，人們對(duì)手機(jī)攝像頭像素的要求越來(lái)越高，如今用傳統(tǒng)的CSP封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組像素已達(dá)不到人們的需求，而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組已被大量的運(yùn)用到了現(xiàn)在的千萬(wàn)像素的手機(jī)中
有設(shè)置高寬參數(shù)，將以原圖輸出 "生物醫(yī)用材料領(lǐng)域")
導(dǎo)尿管 導(dǎo)尿管一般是以天然橡膠、硅橡膠或聚氯乙烯（PVC）材料制成，因其材料本身的生物相容性較差，需采用等離子體改性，提高基材的浸潤(rùn)性，并在PVC表面涂覆了三氯生和溴硝醇，改性后的PVC材料能殺死細(xì)菌
15年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品面涉及廣泛
高穩(wěn)定性、高性?xún)r(jià)比、高均勻性
精益求精、不斷進(jìn)取
實(shí)業(yè)筑基、誠(chéng)信至上
關(guān)注新聞時(shí)訊，堅(jiān)持與時(shí)俱進(jìn)
在半導(dǎo)體制造設(shè)備中，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備是三大主要的設(shè)備，根據(jù) SEMI 測(cè)算數(shù)據(jù)，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備分別約占半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的24%、20%和20%?？涛g是利用化學(xué)或物理方法有選擇地
在本文將簡(jiǎn)要說(shuō)明濕法蝕刻和干法蝕刻每種蝕刻技術(shù)的特點(diǎn)和區(qū)別。在半導(dǎo)體制造中，在處理基板或在基板上形成的薄膜的過(guò)程中，有一種稱(chēng)為“蝕刻”的技術(shù)。蝕刻技術(shù)的發(fā)展對(duì)實(shí)現(xiàn)英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾在1965年提出
刻蝕技術(shù)總述在20世紀(jì)60年代后期，濕法刻蝕曾經(jīng)是低成本集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)。半導(dǎo)體工藝制程及芯片性能的不斷迭代不斷提升，隨著制程進(jìn)入六次微米級(jí)，基于化學(xué)反應(yīng)的濕法刻蝕，已經(jīng)跟不上芯片的精度要求了，
等離子體蝕刻可能是半導(dǎo)體制造中最重要的工藝，也可能是僅次于光刻的所有晶圓廠(chǎng)操作中最復(fù)雜的。幾乎一半的晶圓制造步驟都依賴(lài)于等離子體，一種高能電離氣體來(lái)完成它們的工作。盡管晶體管和存儲(chǔ)單元不斷縮小，工程師
CCP全稱(chēng)是Capacitively Coupled Plasma，即電容耦合等離子。是一種廣泛用于芯片制造刻蝕的工藝，能夠以極高的精度和對(duì)材料的最小損傷來(lái)刻蝕晶圓材料。CCP工作原理：電容耦合等離子
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