COB封裝

隨著智能手機的飛速發(fā)展，人們對手機攝像頭像素的要求越來越高，如今用傳統(tǒng)的CSP封裝工藝制造的手機攝像模組像素已達不到人們的需求，而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機攝像模組已被大量的運用到了現(xiàn)在的千萬像素的手機中，但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右，而造成的手機良率不高的原因主要在于離心清洗機和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物，致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問題，經(jīng)等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機污染物和活化基材，使其與IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，極大的提升了banding的一次成功率。

半導(dǎo)體硅片（Wafer)

在IC芯片制造領(lǐng)域中，等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達到的：在晶元表面去除氧化膜、有機物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤性。

芯片粘接前處理

 芯片與封裝基板的粘接，往往是兩種不同性質(zhì)的材料，材料表面通常呈現(xiàn)為疏水性和惰性特征，其表面粘接性能較差，粘接過程中界面容易產(chǎn)生空隙，給密封封裝后的芯片帶來很大的隱患，對芯片與封裝基板的表面進行等離子體處理能有效增加其表面活性，極大的改善粘接環(huán)氧樹脂在其表面的流動性，提高芯片和封裝基板的粘結(jié)浸潤性，減少芯片與基板的分層，改善熱傳導(dǎo)能力，提高IC封裝的可靠性、穩(wěn)定性，增加產(chǎn)品的壽命。

優(yōu)化引線鍵合（打線）

集成電路引線鍵合的質(zhì)量對微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有機殘渣等都會嚴(yán)重削弱引線鍵合的拉力值。傳統(tǒng)的濕法清洗對鍵合區(qū)的污染物去除不徹底或者不能去除，而采用等離子體清洗能有效去除鍵合區(qū)的表面沾污并使其表面活化，能明顯提高引線的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。