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現(xiàn)階段，電子封裝技術(shù)在電子設(shè)備運(yùn)用中發(fā)揮著非常重要的作用，特別是在電子器件功能集成以及布局優(yōu)化等方面，發(fā)揮的作用日益重要，應(yīng)用需求也大幅度加強(qiáng)。文章主要就微電子封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用展開詳細(xì)論述。

低溫共燒陶瓷 （ Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC ） 封裝能將不同種類的芯片等元器件組裝集成于同一封裝體內(nèi)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的某些功能，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。總結(jié)了 LTCC 基板所采用的封裝方式，闡述了 LTCC 基板的金屬外殼封裝、針柵陣列（ Pin Grid Array, PGA） 封裝、焊球陣列（ Ball Grid Array,BGA ） 封裝、穿墻無引腳封裝、四面引腳扁平 （ Quad Flat Package, QFP ）封裝、無引腳片式載體 （ Leadless Chip Carrier, LCC ）封裝和三維多芯片模塊 （ Three-Dimensional Multichip Module, 3D-MCM ） 封裝技術(shù)的特點(diǎn)及研究現(xiàn)狀。分析了LTCC 基板不同類型封裝中影響封裝氣密性和可靠性的一些關(guān)鍵技術(shù)因素，并對(duì) LTCC 封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。

摘要： 以等離子清洗原理為基礎(chǔ)，介紹常用等離子體激發(fā)頻率及實(shí)現(xiàn)方式，闡述先進(jìn)的封裝工藝過程，分析等離子清洗在封裝工藝過程中的應(yīng)用。通過對(duì)等離子清洗前后水滴角對(duì)比試驗(yàn)和清洗后不同時(shí)刻的水滴角測(cè)量，得到等離子清洗的時(shí)效性。結(jié)果表明，實(shí)驗(yàn)達(dá)到了預(yù)期效果，符合封裝工藝的實(shí)際情況，可為提高封裝芯片質(zhì)量提供參考。 隨著光電產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體等微電子產(chǎn)業(yè)迎來了黃金發(fā)展期，促使產(chǎn)品的性能和質(zhì)量成為微電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)公司的追求。高精度、高性能以及高質(zhì)量是眾多高科技領(lǐng)域的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和企業(yè)產(chǎn)品檢驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)。在整個(gè)微電子封裝工藝生產(chǎn)流程中，半導(dǎo)體器件產(chǎn)品表面會(huì)附著各種微粒等沾污雜質(zhì)。這些沾污雜質(zhì)的存在會(huì)嚴(yán)重影響微電子器件的可靠性和工作壽命。因?yàn)楦煞ㄇ逑捶绞侥軌虿黄茐男酒砻娌牧咸匦院蛯?dǎo)電特性就可去除污染物，所以在眾多清洗方式中具有明顯優(yōu)勢(shì)，其中等離子體清洗優(yōu)勢(shì)明顯，具有操作簡(jiǎn)單、精密可控、無需加熱處理、整個(gè)工藝過程無污染以及安全可靠等特點(diǎn)，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域中獲得了大規(guī)模的推廣應(yīng)用。

摘要： 研究了等離子清洗工藝對(duì)特定芯片鈍化膜形貌和電性能的影響規(guī)律，結(jié)果表明：等離子清洗會(huì)造成CC4069RH芯片表面聚酰亞胺鈍化膜圈狀起皺現(xiàn)象，起皺部位的膜層略微凸起，但整個(gè)鈍化膜完整連續(xù)，未出現(xiàn)裂紋。78L12芯片的輸出電壓隨著等離子清洗功率和時(shí)間的增加呈現(xiàn)升高的趨勢(shì)，在后續(xù)加熱存儲(chǔ)和功率老煉工藝后輸出電壓恢復(fù)正常。 混合集成電路具有體積小、質(zhì)量輕、組裝密度高、氣密性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域。在混合集成電路中，一般使用鍵合絲實(shí)現(xiàn)電路內(nèi)部電氣信號(hào)互聯(lián)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，約70％以上混合集成電路產(chǎn)品的失效是由鍵合失效引起。由于鍵合前的界面在焊接或粘接時(shí)受到氣氛和溫度等的影響，鍵合區(qū)不可避免地受到有機(jī)或無機(jī)殘留物的沾污，導(dǎo)致鍵合后虛焊和脫焊。等離子清洗工藝技術(shù)是利用電離的等離子體對(duì)鍵合區(qū)表面進(jìn)行清理，實(shí)現(xiàn)分子水平污漬的去除（一般厚度在3～30nm），提高表面的活性，進(jìn)而提高鍵合強(qiáng)度及長(zhǎng)期可靠性。 然而，在等離子清洗過程中，激發(fā)產(chǎn)生的離子由于電極電勢(shì)或等離子體自偏壓的作用加速向電路組件和芯片表面運(yùn)動(dòng)，可能會(huì)因離子轟擊造成器件的物理損傷。芯片暴露在等離子體中會(huì)造成柵充電及電應(yīng)力損傷，而且紫外線、高能粒子會(huì)造成柵氧化層的邊緣損傷[5-6]，這些都會(huì)影響芯片的電性能和長(zhǎng)期服役可靠性。但是，國(guó)內(nèi)外的文獻(xiàn)均未報(bào)道鍵合 前等離子清洗工藝對(duì)芯片鈍化膜和電性能的影響。 本文選取等離子清洗過程中功率、時(shí)間和清洗次數(shù)作為工藝變量，發(fā)現(xiàn)了特定芯片聚酰亞胺鈍化膜起皺及電性能變化的現(xiàn)象，明確了控制措施，有效地指導(dǎo)了混合集成電路的等離子清洗工作

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隨著對(duì)產(chǎn)品可靠性要求和檢測(cè)技術(shù)的提高，對(duì)小尺寸器件的水汽控制提出了明確要求。本文分析了水汽偏高的原因，提出了小尺寸器件水汽控制的技術(shù)要點(diǎn)，設(shè)計(jì)了金錫合金封裝工藝方法。選用金錫合金預(yù)成型焊環(huán)作為封裝材料，通過大量試驗(yàn)摸索出一種較佳的封裝工藝控制程序，有效解決了小尺寸器件的水汽控制問題，保證了產(chǎn)品的電性能和可靠性。

摘要： 等離子清洗工藝是應(yīng)用于當(dāng)代半導(dǎo)體、薄膜/厚膜電路等行業(yè)在元件封裝前、芯片鍵合前的二次精密清洗工藝，清洗效果影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量。國(guó)內(nèi)現(xiàn)有等離子清洗工藝存在清洗不均勻問題，針對(duì)這一問題，簡(jiǎn)單介紹了等離子清洗設(shè)備的基本原理，分析并介紹等離子體清洗工藝在芯片鍵合前的應(yīng)用，并針對(duì)封裝行業(yè)中的沾污問題提出了可行的解決方法。 等離子清洗簡(jiǎn)稱干法清洗，是設(shè)備利用射頻等離子源的激發(fā)，使工藝氣體激發(fā)成為離子態(tài)，與清洗材質(zhì)表面的污染物發(fā)生物理和化學(xué)反應(yīng)，通過真空泵將反應(yīng)產(chǎn)生的污染物排走，達(dá)到清洗效果。等離子清洗的效果影響產(chǎn)品的成品率。等離子清洗可應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、薄膜電路、元器件封裝前、連接器粘接等行業(yè)的二次精密清洗。

從工業(yè)生產(chǎn)到日常生活，溫度傳感器在各個(gè)領(lǐng)域都起到了非常重要的作用。溫度傳感技術(shù)至少可以追溯到伽利略時(shí)代，它依賴于一個(gè)普遍的原理：溫度影響所有的物理性質(zhì)，因而物性測(cè)量可以起到溫度計(jì)的作用。選擇何種物理屬性是精度、速度、成本和便捷性之間折中的結(jié)果。然而傳統(tǒng)電阻式溫度傳感器和熱電偶以硬材料為主，這大大地限制了其在復(fù)雜工程結(jié)構(gòu)、生物組織等重要場(chǎng)景的應(yīng)用。近幾十年來，軟材料的快速發(fā)展推動(dòng)了柔性電子領(lǐng)域的興起，而柔性傳感器則被視為下一代可穿戴設(shè)備、智能織物、軟體機(jī)器人等發(fā)展的關(guān)鍵。

Plasma Clean (電漿清洗Before WB)在密閉真空中充入少量Ar、H2、O2中的一種或幾種氣體，利用RF power在平形板電極形成電場(chǎng)使電子來回震蕩，電子激發(fā)并電離氣體產(chǎn)生電漿，撞擊

薄膜沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長(zhǎng)的過程。在一個(gè)新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購(gòu)買設(shè)備。其

近年來隨著電子產(chǎn)品的小型化發(fā)展，窄節(jié)距倒裝芯片互連已經(jīng)成為研究熱點(diǎn)。傳統(tǒng)的倒裝芯片組裝后底部填充技術(shù)（ 例如底部毛細(xì)填充） 在用于窄節(jié)距互連時(shí)易產(chǎn)生孔洞，導(dǎo)致可靠性降低，因此產(chǎn)業(yè)界開發(fā)了面向窄節(jié)距倒裝